2SK 4108
Κωδικός προϊόντος: 100.102.0860Διαθεσιμότητα: Διαθέσιμο
Metal oxide N-channel FET, enhancement type with diode.V-MOS, AM-L, 180V, 2A, PQ>10W(28MHz).
Τιμή: 4,00 €
Χαρακτηριστικά:
Type Designator: 2SK4108
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Pd - Maximum Power Dissipation: 150 W
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage: 500 V
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage: 30 V
|Id| - Maximum Drain Current: 20 A
Tj - Maximum Junction Temperature: 150 °C
tr - Rise Time: 70 nS
Coss - Output Capacitance: 320 pF
Rds - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.27 Ohm
Package: TO3P
Κατασκευαστής: n/a Κατηγορία: 2SK
